拋光粉通常由氧化鈰(VK-CE01)、氧化鋁(VK-L30F)、氧化硅(VK-SP50F)、氧化鐵、氧化鋯(VK-R30F)、氧化鉻等組份組成，不同的材料的硬度不同，在水中的化學性質(zhì)也不同，因此使用場合各不相同。氧化鋁和氧化鉻的莫氏硬度為9，氧化鈰和氧化鋯為7，氧化鐵更低。氧化鈰與硅酸鹽玻璃的化學活性較高，硬度也相當，因此廣泛用于玻璃的拋光。

光液使用方法

包括棘輪扳手、開口扳手，批咀、套筒扳手，六角扳手，螺絲刀等，鉛錫合金、鋅合金等金屬產(chǎn)品經(jīng)過研磨以后，再使用拋光劑配合振動研磨光飾機，滾桶式研磨光式機進行拋光。

1、拋光劑投放量為（根據(jù)不同產(chǎn)品的大小，光飾機的大小和各公司的產(chǎn)品光亮度要求進行適當配置）；

2、拋光時間：根據(jù)產(chǎn)品的狀態(tài)來定；

3、拋光完成后用清水清洗一次并且烘干即可。

制作步驟：

依據(jù)機械加工原理、半導體材料工程學、物力化學多相反應多相催化理論、表面工程學、半導體化學基礎(chǔ)理論等，對硅單晶片化學機械拋光（CMP）機理、動力學控制過程和影響因素研究標明，化學機械拋光是一個復雜的多相反應，它存在著兩個動力學過程：

（1）拋光首先使吸附在拋光布上的拋光液中的氧化劑、催化劑等與襯底片表面的硅原子在表面進行氧化還原的動力學過程。這是化學反應的主體。

（2）拋光表面反應物脫離硅單晶表面，即解吸過程使未反應的硅單晶重新裸露出來的動力學過程。它是控制拋光速率的另一個重要過程。

硅片的化學機械拋光過程是以化學反應為主的機械拋光過程，要獲得質(zhì)量好的拋光片，必須使拋光過程中的化學腐蝕作用與機械磨削作用達到一種平衡。如果化學腐蝕作用大于機械拋光作用，則拋光片表面產(chǎn)生腐蝕坑、桔皮狀波紋。如果機械磨削作用大于化學腐蝕作用，則表面產(chǎn)生高損傷層。

結(jié)晶粉的使用

1、石材結(jié)晶粉使用效果的要求: 地面平整,翻新完成后使用或晶面日常保養(yǎng)。

2、取本大理石油亮型結(jié)晶粉濕磨工藝：加水調(diào)成漿狀(比例為1:6)。用石材晶面機配合百潔墊(紅墊、白墊、納米墊、獸毛墊都可以，根據(jù)石材材質(zhì)和經(jīng)濟性決定)研磨3-5分鐘后,保持地面濕潤，用清水輕拋洗凈吸水機吸干。再用干凈纖維墊輕拋2-3分鐘效果更佳!

3、取本大理石超亮晶面粉干磨工藝：加水調(diào)成漿狀(比例為1:1)。用石材晶面機配合纖維墊研磨,磨干地面。(晶面機阻力增大時即晶面漿結(jié)晶層形成時可在地面灑幾滴水至磨干)

4、觀察地面結(jié)晶層亮度、油潤度，可按上述方法施工二遍，可達到滿意結(jié)晶面，做翻新工程時可以直接交工。

5、地面干燥后，可用干凈塵推推塵。