微觀結構：銦靶晶粒尺寸一般需維持在 10-50 微米區(qū)間，密度高于 7.31g/cm3，熱導率保持在 81.8W/(m?K) 以上，這些技術參數(shù)直接決定了其在真空濺射過程中的沉積效率和薄膜質量。

優(yōu)異的光學性能：在可見光波段（380-780nm）內，ITO 薄膜的透光率通常能夠達到 80% 以上，高透光率確保了其在顯示器、太陽能電池等應用中的良好表現(xiàn)。

粉末冶金法：將銦氧化物和錫氧化物粉末均勻混合，隨后進行預燒結，以獲得初步的靶材結構。預燒結步驟通常在相對低溫下進行，目的是通過部分熔融促進粉末顆粒的結合，同時防止過早的晶粒長大。粉體粒徑分布的控制是該方法中的關鍵一環(huán)。

熱等靜壓（HIP）工藝：在高溫和高壓環(huán)境下進行燒結，能夠顯著提高材料的致密度，減少材料中的孔隙，改善材料的微觀結構，使得 ITO 靶材具有更高的電導率和機械強度，但該工藝成本較為昂貴。