ITO靶材，全稱(chēng)氧化銦錫靶材，是一種專(zhuān)門(mén)用于磁控濺射鍍膜的材料。氧化銦錫（簡(jiǎn)稱(chēng)ITO）是一種n型半導(dǎo)體材料，通常由90%的氧化銦（In?O?）和10%的氧化錫（SnO?）組成。這種材料以其的透明度和導(dǎo)電性，成為現(xiàn)代電子工業(yè)中不可或缺的組成部分。無(wú)論是智能手機(jī)的觸摸屏、平板電腦的顯示面板，還是太陽(yáng)能電池的透明電極，ITO靶材都以其獨(dú)特的功能支撐著這些設(shè)備的運(yùn)行。
從物理性質(zhì)上看，ITO靶材具有以下幾個(gè)顯著特點(diǎn)：
高透明度：在可見(jiàn)光范圍內(nèi)（波長(zhǎng)400-700納米），ITO薄膜的透光率可高達(dá)90%以上，幾乎與普通玻璃相當(dāng)。
優(yōu)異導(dǎo)電性：其電阻率通常在10??歐姆·厘米的量級(jí)，遠(yuǎn)低于大多數(shù)透明材料。
化學(xué)穩(wěn)定性：在常溫下，ITO對(duì)水、氧氣等環(huán)境因素表現(xiàn)出良好的抗腐蝕能力。
機(jī)械耐久性：ITO薄膜具備一定的硬度和耐磨性，能夠應(yīng)對(duì)日常使用中的輕微刮擦。
這些特性讓ITO靶材在實(shí)際應(yīng)用中游刃有余，尤其是在需要兼顧光學(xué)和電學(xué)性能的場(chǎng)景中。
目前，ITO靶材的制備主要有兩種常見(jiàn)方法：熱壓燒結(jié)法和冷等靜壓法。
熱壓燒結(jié)法
工藝流程：將氧化銦和氧化錫粉末按比例混合后，放入模具，在高溫（1000-1500°C）和高壓（幾十到幾百兆帕）下壓制成型。高溫使粉末顆粒熔融結(jié)合，形成致密的靶材結(jié)構(gòu)。
優(yōu)點(diǎn)：這種方法制備的靶材密度接近理論值（通常超過(guò)99%），晶粒分布均勻，適合高精度鍍膜需求。
缺點(diǎn)：設(shè)備復(fù)雜，能耗高，生產(chǎn)成本較高。
適用場(chǎng)景：高端電子產(chǎn)品，如智能手機(jī)、平板電腦的顯示屏制造。
閉環(huán)之困：損耗與機(jī)遇并存
ITO靶材在濺射鍍膜過(guò)程中利用率通常僅30%左右，大量含銦廢料（廢舊靶材、邊角料、鍍膜腔室廢料）隨之產(chǎn)生。過(guò)去，這些價(jià)值的廢料往往被簡(jiǎn)單處理或堆積。建立從“廢靶材→再生銦→新靶材”的閉環(huán)體系，成為破解資源約束的黃金路徑。
