ITO靶材的核心用途是在磁控濺射工藝中作為“濺射源”。磁控濺射是一種常見(jiàn)的薄膜沉積技術(shù)，通過(guò)高能離子轟擊靶材表面，使靶材原子被“敲擊”出來(lái)，終沉積在基板上，形成一層均勻的ITO薄膜。這層薄膜厚度通常在幾十到幾百納米之間，卻能同時(shí)實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電和透光的功能。
銦回收面臨的主要挑戰(zhàn)包括銦在電子設(shè)備中的低濃度和與其他金屬的合金化。傳統(tǒng)的回收方法難以有效提取，需要采用濕法冶金或火法冶金等先進(jìn)技術(shù)。同時(shí)，回收過(guò)程中需確保電子廢物流的分類(lèi)和處理，以減少污染物對(duì)回收過(guò)程的影響。
ITO（Indium Tin Oxide，氧化銦錫）靶材是一種廣泛用于透明導(dǎo)電薄膜材料制備的復(fù)合氧化物材料，其主要成分為氧化銦（In?O?）和氧化錫（SnO?）。通常，ITO靶材中氧化銦與氧化錫的質(zhì)量比例為90:10，這一比例在實(shí)際應(yīng)用中表現(xiàn)出較為理想的光電特性，使其在透明導(dǎo)電薄膜中廣泛應(yīng)用。
氧化銦是一種寬禁帶半導(dǎo)體，具有良好的光學(xué)透明性，而氧化錫的引入則增強(qiáng)了材料的導(dǎo)電性。這種成分結(jié)構(gòu)使得ITO材料在保證高透光率的同時(shí)也具有低電阻率，兼具光學(xué)和電學(xué)性能。ITO靶材的這一獨(dú)特特性使其成為透明導(dǎo)電膜的主流材料，尤其適用于要求高透明度的光電設(shè)備和顯示技術(shù)。
