ITO靶材的核心用途是在磁控濺射工藝中作為“濺射源”。磁控濺射是一種常見的薄膜沉積技術(shù)，通過高能離子轟擊靶材表面，使靶材原子被“敲擊”出來，終沉積在基板上，形成一層均勻的ITO薄膜。這層薄膜厚度通常在幾十到幾百納米之間，卻能同時實現(xiàn)導(dǎo)電和透光的功能。
目前，ITO靶材的制備主要有兩種常見方法：熱壓燒結(jié)法和冷等靜壓法。
熱壓燒結(jié)法
工藝流程：將氧化銦和氧化錫粉末按比例混合后，放入模具，在高溫（1000-1500°C）和高壓（幾十到幾百兆帕）下壓制成型。高溫使粉末顆粒熔融結(jié)合，形成致密的靶材結(jié)構(gòu)。
優(yōu)點：這種方法制備的靶材密度接近理論值（通常超過99%），晶粒分布均勻，適合高精度鍍膜需求。
缺點：設(shè)備復(fù)雜，能耗高，生產(chǎn)成本較高。
適用場景：高端電子產(chǎn)品，如智能手機、平板電腦的顯示屏制造。
銦回收面臨的主要挑戰(zhàn)包括銦在電子設(shè)備中的低濃度和與其他金屬的合金化。傳統(tǒng)的回收方法難以有效提取，需要采用濕法冶金或火法冶金等先進技術(shù)。同時，回收過程中需確保電子廢物流的分類和處理，以減少污染物對回收過程的影響。
閉環(huán)之困：損耗與機遇并存
ITO靶材在濺射鍍膜過程中利用率通常僅30%左右，大量含銦廢料（廢舊靶材、邊角料、鍍膜腔室廢料）隨之產(chǎn)生。過去，這些價值的廢料往往被簡單處理或堆積。建立從“廢靶材→再生銦→新靶材”的閉環(huán)體系，成為破解資源約束的黃金路徑。
