從化學角度看，ITO是一種復(fù)合氧化物，其性能很大程度上取決于氧化銦和氧化錫的比例。氧化銦提供高透明度，而氧化錫的摻雜則增強了材料的導(dǎo)電性。通過控制這兩者的配比，ITO能夠在保持光學透明的同時，具備接近金屬的導(dǎo)電能力。這種“透明卻導(dǎo)電”的特性，使得ITO成為制造透明導(dǎo)電膜的理想選擇。
ITO靶材的核心用途是在磁控濺射工藝中作為“濺射源”。磁控濺射是一種常見的薄膜沉積技術(shù)，通過高能離子轟擊靶材表面，使靶材原子被“敲擊”出來，終沉積在基板上，形成一層均勻的ITO薄膜。這層薄膜厚度通常在幾十到幾百納米之間，卻能同時實現(xiàn)導(dǎo)電和透光的功能。
目前，ITO靶材的制備主要有兩種常見方法：熱壓燒結(jié)法和冷等靜壓法。
熱壓燒結(jié)法
工藝流程：將氧化銦和氧化錫粉末按比例混合后，放入模具，在高溫（1000-1500°C）和高壓（幾十到幾百兆帕）下壓制成型。高溫使粉末顆粒熔融結(jié)合，形成致密的靶材結(jié)構(gòu)。
優(yōu)點：這種方法制備的靶材密度接近理論值（通常超過99%），晶粒分布均勻，適合高精度鍍膜需求。
缺點：設(shè)備復(fù)雜，能耗高，生產(chǎn)成本較高。
適用場景：高端電子產(chǎn)品，如智能手機、平板電腦的顯示屏制造。
氧化銦是一種寬禁帶半導(dǎo)體，具有良好的光學透明性，而氧化錫的引入則增強了材料的導(dǎo)電性。這種成分結(jié)構(gòu)使得ITO材料在保證高透光率的同時也具有低電阻率，兼具光學和電學性能。ITO靶材的這一獨特特性使其成為透明導(dǎo)電膜的主流材料，尤其適用于要求高透明度的光電設(shè)備和顯示技術(shù)。
