從物理性質上看，ITO靶材具有以下幾個顯著特點：
高透明度：在可見光范圍內（波長400-700納米），ITO薄膜的透光率可高達90%以上，幾乎與普通玻璃相當。
優(yōu)異導電性：其電阻率通常在10??歐姆·厘米的量級，遠低于大多數(shù)透明材料。
化學穩(wěn)定性：在常溫下，ITO對水、氧氣等環(huán)境因素表現(xiàn)出良好的抗腐蝕能力。
機械耐久性：ITO薄膜具備一定的硬度和耐磨性，能夠應對日常使用中的輕微刮擦。
這些特性讓ITO靶材在實際應用中游刃有余，尤其是在需要兼顧光學和電學性能的場景中。
冷等靜壓法
工藝流程：將混合粉末裝入柔性模具，在室溫下通過高壓（100-300兆帕）壓制成型，隨后在較低溫度下燒結固化。
優(yōu)點：工藝相對簡單，生產成本較低，適合小批量或定制化生產。
缺點：靶材密度和均勻性稍遜，可能在高功率濺射中表現(xiàn)不夠穩(wěn)定。
適用場景：中低端電子產品或實驗室研發(fā)用靶材。
這兩種方法各有千秋，制造商需要根據(jù)具體需求權衡成本與性能。
ITO靶材，即銦錫氧化物靶材，主要由氧化銦（In?O?）和氧化錫（SnO?）組成，其中氧化銦占比高達90%。ITO靶材因其優(yōu)異的導電性和高透光性，成為液晶顯示器（LCD）、觸摸屏及太陽能電池等光電設備的理想材料。其晶體結構穩(wěn)定，電導率高，確保了設備的運行。
銦回收的難點在于其“稀”與“散”。一部廢舊手機含銦量不足0.02克，且深嵌于多層結構的液晶面板中，與玻璃、塑料、其他金屬緊密復合。傳統(tǒng)的物理拆解難以分離，濕法冶金（酸/堿浸出）則面臨成分復雜、雜質干擾、易產生二次污染等嚴峻挑戰(zhàn)。
