從物理性質上看，ITO靶材具有以下幾個顯著特點：
高透明度：在可見光范圍內（波長400-700納米），ITO薄膜的透光率可高達90%以上，幾乎與普通玻璃相當。
優(yōu)異導電性：其電阻率通常在10??歐姆·厘米的量級，遠低于大多數透明材料。
化學穩(wěn)定性：在常溫下，ITO對水、氧氣等環(huán)境因素表現出良好的抗腐蝕能力。
機械耐久性：ITO薄膜具備一定的硬度和耐磨性，能夠應對日常使用中的輕微刮擦。
這些特性讓ITO靶材在實際應用中游刃有余，尤其是在需要兼顧光學和電學性能的場景中。
ITO靶材的核心用途是在磁控濺射工藝中作為“濺射源”。磁控濺射是一種常見的薄膜沉積技術，通過高能離子轟擊靶材表面，使靶材原子被“敲擊”出來，終沉積在基板上，形成一層均勻的ITO薄膜。這層薄膜厚度通常在幾十到幾百納米之間，卻能同時實現導電和透光的功能。
銦靶材主要由金屬銦制成，具有質軟、延展性好和導電性強的特點。作為稀有金屬，銦在自然界的含量稀少，但其獨特的物理和化學性質使其成為眾多高科技產品的核心組件。銦靶材廣泛應用于航空航天、電子工業(yè)等領域，是制造高性能電子元器件的關鍵材料。
ITO（Indium Tin Oxide，氧化銦錫）靶材是一種廣泛用于透明導電薄膜材料制備的復合氧化物材料，其主要成分為氧化銦（In?O?）和氧化錫（SnO?）。通常，ITO靶材中氧化銦與氧化錫的質量比例為90:10，這一比例在實際應用中表現出較為理想的光電特性，使其在透明導電薄膜中廣泛應用。
