在實際生產(chǎn)中，ITO靶材通常被加工成圓形或矩形的塊狀，與濺射設(shè)備配合使用。濺射過程中，靶材的質(zhì)量直接影響薄膜的均勻性、附著力和性能。因此，高質(zhì)量的ITO靶材不僅是技術(shù)要求，更是生產(chǎn)效率和產(chǎn)品可靠性的保障。
目前，ITO靶材的制備主要有兩種常見方法：熱壓燒結(jié)法和冷等靜壓法。
熱壓燒結(jié)法
工藝流程：將氧化銦和氧化錫粉末按比例混合后，放入模具，在高溫（1000-1500°C）和高壓（幾十到幾百兆帕）下壓制成型。高溫使粉末顆粒熔融結(jié)合，形成致密的靶材結(jié)構(gòu)。
優(yōu)點(diǎn)：這種方法制備的靶材密度接近理論值（通常超過99%），晶粒分布均勻，適合高精度鍍膜需求。
缺點(diǎn)：設(shè)備復(fù)雜，能耗高，生產(chǎn)成本較高。
適用場景：高端電子產(chǎn)品，如智能手機(jī)、平板電腦的顯示屏制造。
銦回收面臨的主要挑戰(zhàn)包括銦在電子設(shè)備中的低濃度和與其他金屬的合金化。傳統(tǒng)的回收方法難以有效提取，需要采用濕法冶金或火法冶金等先進(jìn)技術(shù)。同時，回收過程中需確保電子廢物流的分類和處理，以減少污染物對回收過程的影響。
透明導(dǎo)電薄膜在現(xiàn)代光電行業(yè)中具有至關(guān)重要的地位，是觸摸屏、顯示器和太陽能電池等設(shè)備中的核心組件。ITO靶材憑借其出色的透明導(dǎo)電特性成為制備透明導(dǎo)電薄膜的材料。
