粉末冶金法：通過將銦粉末在高溫下壓制和燒結(jié)成型，可有效控制雜質(zhì)含量，能制造出形狀復雜的靶材，制得的靶材具有較高的致密度和均勻性。

熔煉法：將銦材料加熱至熔點以上，使其成為液態(tài)，然后通過鑄?；蚱渌尚凸に囍圃彀胁?，該方法簡單快捷，但控制純度和均勻性相對較難。

熱壓法：把銦粉末在高溫和高壓下壓制成型，能夠提高靶材的致密度和機械強度，同時有助于減少氣孔和其他缺陷。

冷等靜壓法：利用液壓介質(zhì)在室溫下對銦粉末施加均勻壓力使其成型，可制造出高密度和均勻性的靶材，但需要后續(xù)的燒結(jié)處理來提高其機械性能。

化合物半導體器件

場景：用于制造銦鎵砷（InGaAs）、銦磷（InP）等化合物半導體芯片，廣泛應用于 5G 通信基站、雷達、光纖通信等高頻電子設備。

作用：提升器件的高頻性能和可靠性，是 5G 毫米波芯片的核心材料之一。

銦靶是現(xiàn)代電子信息、新能源、高端制造等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的底層關鍵材料，其應用深度和廣度直接反映一個國家在半導體、顯示、光伏等領域的技術水平。由于全球銦資源稀缺（主要伴生于鋅礦），且提純工藝復雜，銦靶的供應鏈已成為各國關注的重點。未來，隨著 5G、AI、新能源汽車等產(chǎn)業(yè)的爆發(fā)，銦靶的需求將持續(xù)增長，同時推動高純銦（99.999% 以上）制備技術的不斷突破。