純化技術(shù)

區(qū)熔法：一種通過(guò)熔化和重新結(jié)晶來(lái)純化材料的方法，可有效去除銦中的雜質(zhì)，提高其純度。

電解精煉：利用電化學(xué)反應(yīng)將銦從雜質(zhì)中分離出來(lái)。將銦材料作為陽(yáng)極，置于電解液中，通過(guò)施加電流使銦離子在陰極上沉積，從而得到高純度的銦。

化學(xué)純化：利用化學(xué)反應(yīng)去除銦中的雜質(zhì)，例如通過(guò)溶劑萃取和化學(xué)沉淀等方法，可有效分離和去除雜質(zhì)，提高銦的純度。

銦靶是現(xiàn)代電子信息、新能源、高端制造等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的底層關(guān)鍵材料，其應(yīng)用深度和廣度直接反映一個(gè)國(guó)家在半導(dǎo)體、顯示、光伏等領(lǐng)域的技術(shù)水平。由于全球銦資源稀缺（主要伴生于鋅礦），且提純工藝復(fù)雜，銦靶的供應(yīng)鏈已成為各國(guó)關(guān)注的重點(diǎn)。未來(lái)，隨著 5G、AI、新能源汽車等產(chǎn)業(yè)的爆發(fā)，銦靶的需求將持續(xù)增長(zhǎng)，同時(shí)推動(dòng)高純銦（99.999% 以上）制備技術(shù)的不斷突破。

濺射時(shí)間與沉積厚度

厚度監(jiān)控：使用石英晶體微天平（QCM）實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)薄膜沉積速率，結(jié)合靶材消耗速率（約 0.1~0.5 μm/min，與功率相關(guān)），控制濺射時(shí)間。

靶材利用率：避免過(guò)度濺射導(dǎo)致靶材 “打穿”（剩余厚度＜2 mm 時(shí)需及時(shí)更換），通常平面靶材利用率約 30%~40%，旋轉(zhuǎn)靶可提升至 60% 以上。

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