粉末冶金法：通過將銦粉末在高溫下壓制和燒結(jié)成型，可有效控制雜質(zhì)含量，能制造出形狀復(fù)雜的靶材，制得的靶材具有較高的致密度和均勻性。

熔煉法：將銦材料加熱至熔點以上，使其成為液態(tài)，然后通過鑄?；蚱渌尚凸に囍圃彀胁模摲椒ê唵慰旖?，但控制純度和均勻性相對較難。

光學(xué)領(lǐng)域：用于制造反射率與銀鏡一樣高但不會褪色的鏡，還可用于制造其他光學(xué)器件，如濾光片、光通信器件等。

其他領(lǐng)域：可用于制造低熔點合金，如 24％銦和 76％鎵的合金在室溫下為液態(tài)，此外，還可用于制造整流器、熱敏電阻和光電導(dǎo)體等電氣組件。

先進封裝技術(shù)

應(yīng)用：在芯片倒裝焊（Flip Chip）中作為焊料或熱界面材料，實現(xiàn)芯片與基板的電氣連接和熱傳導(dǎo)。

特點：低熔點（156.6℃）和高可靠性，適用于精密電子器件的低溫封裝。

濺射時間與沉積厚度

厚度監(jiān)控：使用石英晶體微天平（QCM）實時監(jiān)測薄膜沉積速率，結(jié)合靶材消耗速率（約 0.1~0.5 μm/min，與功率相關(guān)），控制濺射時間。

靶材利用率：避免過度濺射導(dǎo)致靶材 “打穿”（剩余厚度＜2 mm 時需及時更換），通常平面靶材利用率約 30%~40%，旋轉(zhuǎn)靶可提升至 60% 以上。