光學領域：用于制造反射率與銀鏡一樣高但不會褪色的鏡，還可用于制造其他光學器件，如濾光片、光通信器件等。

其他領域：可用于制造低熔點合金，如 24％銦和 76％鎵的合金在室溫下為液態(tài)，此外，還可用于制造整流器、熱敏電阻和光電導體等電氣組件。

化合物半導體器件

場景：用于制造銦鎵砷（InGaAs）、銦磷（InP）等化合物半導體芯片，廣泛應用于 5G 通信基站、雷達、光纖通信等高頻電子設備。

作用：提升器件的高頻性能和可靠性，是 5G 毫米波芯片的核心材料之一。

濺射時間與沉積厚度

厚度監(jiān)控：使用石英晶體微天平（QCM）實時監(jiān)測薄膜沉積速率，結合靶材消耗速率（約 0.1~0.5 μm/min，與功率相關），控制濺射時間。

靶材利用率：避免過度濺射導致靶材 “打穿”（剩余厚度＜2 mm 時需及時更換），通常平面靶材利用率約 30%~40%，旋轉靶可提升至 60% 以上。

靶材回收與再利用

回收價值：報廢銦靶（含濺射過程中產生的碎屑、廢膜）可通過化學溶解（如鹽酸溶解）、電解精煉等工藝回收銦金屬（回收率可達 95% 以上），降低生產成本。

環(huán)保要求：回收過程中產生的廢水需處理至重金屬排放標準（如銦離子濃度≤0.1 mg/L），避免環(huán)境污染。