碳化硅(SiC)緣何成為第三代半導(dǎo)體重要的材料?
在半導(dǎo)體技術(shù)中,需要純度的細(xì)晶粒石墨,而SiC 單晶的生長(zhǎng)通常涉及在超過 2400 °C 的溫度下的某種物理蒸汽傳輸機(jī)制。
多孔石墨作為晶體生長(zhǎng)過程中關(guān)鍵的材料,同時(shí),需要純度和精度。我司可依據(jù)客戶不同的型號(hào)要求定制,滿足客戶的不同需求。
供應(yīng)第三代半導(dǎo)體SIC用多孔石墨,EM3石墨件,SGL多孔石
2025-11-20 14:39 320次瀏覽碳化硅(SiC)緣何成為第三代半導(dǎo)體重要的材料?
在半導(dǎo)體技術(shù)中,需要純度的細(xì)晶粒石墨,而SiC 單晶的生長(zhǎng)通常涉及在超過 2400 °C 的溫度下的某種物理蒸汽傳輸機(jī)制。
多孔石墨作為晶體生長(zhǎng)過程中關(guān)鍵的材料,同時(shí),需要純度和精度。我司可依據(jù)客戶不同的型號(hào)要求定制,滿足客戶的不同需求。
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