制備完成后，ITO靶材在實(shí)際應(yīng)用中還會(huì)遇到一些問(wèn)題：
濺射不均勻：如果靶材內(nèi)部存在微小缺陷或成分偏差，濺射過(guò)程中可能出現(xiàn)局部過(guò)熱，導(dǎo)致薄膜厚度不一致。
靶材破裂：在高功率濺射時(shí)，靶材承受的熱應(yīng)力可能超出其極限，造成破裂，進(jìn)而影響生產(chǎn)線的連續(xù)性。
資源限制：ITO靶材依賴銦這種稀有金屬，而銦的全球儲(chǔ)量有限，價(jià)格波動(dòng)較大。這不僅推高了成本，也促使業(yè)界尋找替代方案。
銦靶材主要由金屬銦制成，具有質(zhì)軟、延展性好和導(dǎo)電性強(qiáng)的特點(diǎn)。作為稀有金屬，銦在自然界的含量稀少，但其獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì)使其成為眾多高科技產(chǎn)品的核心組件。銦靶材廣泛應(yīng)用于航空航天、電子工業(yè)等領(lǐng)域，是制造高性能電子元器件的關(guān)鍵材料。
氧化銦是一種寬禁帶半導(dǎo)體，具有良好的光學(xué)透明性，而氧化錫的引入則增強(qiáng)了材料的導(dǎo)電性。這種成分結(jié)構(gòu)使得ITO材料在保證高透光率的同時(shí)也具有低電阻率，兼具光學(xué)和電學(xué)性能。ITO靶材的這一獨(dú)特特性使其成為透明導(dǎo)電膜的主流材料，尤其適用于要求高透明度的光電設(shè)備和顯示技術(shù)。
閉環(huán)之困：損耗與機(jī)遇并存
ITO靶材在濺射鍍膜過(guò)程中利用率通常僅30%左右，大量含銦廢料（廢舊靶材、邊角料、鍍膜腔室廢料）隨之產(chǎn)生。過(guò)去，這些價(jià)值的廢料往往被簡(jiǎn)單處理或堆積。建立從“廢靶材→再生銦→新靶材”的閉環(huán)體系，成為破解資源約束的黃金路徑。
