冷等靜壓法
工藝流程：將混合粉末裝入柔性模具，在室溫下通過(guò)高壓（100-300兆帕）壓制成型，隨后在較低溫度下燒結(jié)固化。
優(yōu)點(diǎn)：工藝相對(duì)簡(jiǎn)單，生產(chǎn)成本較低，適合小批量或定制化生產(chǎn)。
缺點(diǎn)：靶材密度和均勻性稍遜，可能在高功率濺射中表現(xiàn)不夠穩(wěn)定。
適用場(chǎng)景：中低端電子產(chǎn)品或?qū)嶒?yàn)室研發(fā)用靶材。
這兩種方法各有千秋，制造商需要根據(jù)具體需求權(quán)衡成本與性能。
ITO靶材，即銦錫氧化物靶材，主要由氧化銦（In?O?）和氧化錫（SnO?）組成，其中氧化銦占比高達(dá)90%。ITO靶材因其優(yōu)異的導(dǎo)電性和高透光性，成為液晶顯示器（LCD）、觸摸屏及太陽(yáng)能電池等光電設(shè)備的理想材料。其晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，電導(dǎo)率高，確保了設(shè)備的運(yùn)行。
銦回收具有重要的環(huán)保和經(jīng)濟(jì)效益。通過(guò)回收廢舊靶材中的銦，可以減少對(duì)新資源的開采，降低環(huán)境污染，實(shí)現(xiàn)資源的可持續(xù)利用。此外，回收銦還能穩(wěn)定市場(chǎng)供應(yīng)，降低生產(chǎn)成本，促進(jìn)相關(guān)產(chǎn)業(yè)的可持續(xù)發(fā)展。
閉環(huán)之困：損耗與機(jī)遇并存
ITO靶材在濺射鍍膜過(guò)程中利用率通常僅30%左右，大量含銦廢料（廢舊靶材、邊角料、鍍膜腔室廢料）隨之產(chǎn)生。過(guò)去，這些價(jià)值的廢料往往被簡(jiǎn)單處理或堆積。建立從“廢靶材→再生銦→新靶材”的閉環(huán)體系，成為破解資源約束的黃金路徑。
