載板電鍍核心工藝類(lèi)型
在了解檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)前，需先明確載板電鍍的關(guān)鍵場(chǎng)景，不同工藝的檢測(cè)重點(diǎn)略有差異：
種子層電鍍：通常為薄層高純度銅（1-3μm），用于后續(xù)圖形電鍍的導(dǎo)電基底，要求低電阻、無(wú)針孔；
圖形電鍍：核心工藝，在線路 / 焊盤(pán)區(qū)域電鍍厚銅（5-20μm，甚至更高），實(shí)現(xiàn)電流傳輸與芯片鍵合支撐；
凸點(diǎn)（Bump）電鍍：如銅凸點(diǎn)、錫凸點(diǎn)，用于芯片與載板的倒裝焊互連，要求的高度 / 直徑控制；
表面處理電鍍：如鎳（Ni）、鈀（Pd）、金（Au）鍍層（ENEPIG/ENIG 工藝），提升焊盤(pán)抗氧化性與鍵合可靠性。
鍍層幾何參數(shù)：控制是基礎(chǔ)
載板的超細(xì)線路 / 凸點(diǎn)對(duì)幾何尺寸要求，偏差會(huì)直接導(dǎo)致封裝失效（如鍵合不良、短路）。
檢測(cè)項(xiàng)目 核心標(biāo)準(zhǔn)要求 檢測(cè)工具
鍍層厚度 - 圖形銅：厚度偏差≤±10%（如設(shè)計(jì) 10μm，實(shí)際需在 9-11μm）；
- 鎳層：2-5μm，偏差≤±0.5μm；
- 金層：0.05-0.15μm（ENEPIG），偏差≤±20% X 射線熒光測(cè)厚儀（XRF）、金相顯微鏡
凸點(diǎn)尺寸（Bump） - 直徑偏差≤±5%（如設(shè)計(jì) 50μm，實(shí)際 47.5-52.5μm）；
- 高度偏差≤±8%；
- 同一載板凸點(diǎn)高度差≤5μm 激光共聚焦顯微鏡、3D 輪廓儀
線路 / 焊盤(pán)精度 - 線寬偏差≤±10%（如設(shè)計(jì) 15μm，實(shí)際 13.5-16.5μm）；
- 焊盤(pán)直徑偏差≤±5%；
- 線路邊緣粗糙度（Ra）≤1μm
生產(chǎn)效率
水平線生產(chǎn)速度1.5-6.0m/min，具體根據(jù)基材厚度，小孔徑，盲孔，縱橫比等參數(shù)調(diào)整，整個(gè)流程時(shí)間在4-10min;
導(dǎo)通能力
No ICD,IST測(cè)試(百萬(wàn)通孔測(cè)試) CAF測(cè)試(小間距CAF改善)
應(yīng)用產(chǎn)品類(lèi)型
各種材料:常規(guī)及改良聚酰亞胺，液晶材料，聚四氟乙烯，聚酯樹(shù)脂，陶瓷基板等;
硬板，軟板，軟硬結(jié)合板，HDI， IC載板等;
尤其適合高縱橫比通盲孔多層，軟板多層，軟硬結(jié)合板，IC載板，超細(xì)微孔/盲孔10-30微米通孔/盲孔
