核心工藝特點

鍍層材質以銅、鎳、金、錫為主，適配不同電子場景需求。

對鍍層均勻性、厚度精度要求，通常需控制在微米級。

需結合載板材質（如陶瓷、樹脂、硅）定制前處理和電鍍參數(shù)。

載板電鍍加工的原材料成本占總成本的比例因多種因素而異，通常在 30% - 50% 左右。

根據(jù)行業(yè)相關資料，在 mSAP 載板的產品成本結構中，原材料成本約占 45%，包括基材、銅箔、藥液等。IC 載板的原材料成本占比也較高，例如 ABF 載板的原材料成本構成中，ABF 膜大概占比 32%，銅箔跟基板占 8%，銅粉加金鹽占 2%，干膜占 1.5%，油墨占 1.5%，錫球占 2%。

面板級加工：扇出型封裝常采用面板級封裝（FOPLP）方式，如盛美上海的 Ultra ECP ap-p 面板級電鍍設備可加工尺寸高達 515x510 毫米的面板，相比傳統(tǒng)晶圓級封裝，能提高生產效率，降低成本。

高精度要求：需滿足高密度互連（HDI）、超細線路 / 焊盤（線寬 / 線距常＜20μm）的要求，對鍍層均勻性、致密度、附著力、純度等方面要求，例如銅鍍層孔隙率需≤1 個 /cm2。

復雜結構處理：對于埋入式扇出型封裝結構，可能存在深寬比較大的通孔，電鍍時需要特殊工藝處理，以避免產生空洞等缺陷。

半加成工藝載板電鍍是一種用于制造高精度電子載板的工藝方法，在半導體封裝等領域應用廣泛。以下是關于它的詳細介紹：

工藝原理：半加成法（SAP）的核心是通過 “逐步沉積銅層” 形成電路。先在絕緣基板表面制備超薄導電層，即種子層，再通過光刻技術定義線路圖形，對圖形區(qū)域電鍍加厚銅層，去除多余部分后形成完整電路。改良型半加成法（mSAP）則是在基板上預先貼合 3-9μm 的超薄低輪廓銅箔作為基銅，再進行后續(xù)操作。

工藝流程

基材準備：使用表面平整的超薄銅箔基板或無銅基材，如 1-2μm 厚銅層的基板或 ABF 薄膜等。

化學沉銅：通過化學沉積在基材表面形成 0.3-0.8μm 的薄銅層，作為導電基底，即種子層。

圖形電鍍銅：對露出的種子層區(qū)域進行電鍍加厚，使線路達到設計厚度，通常至 5-15μm，形成導線主體。

去膠與蝕刻：移除光刻膠或干膜，然后蝕刻掉未被電鍍覆蓋的薄種子層銅，由于種子層厚度極薄，蝕刻側蝕極小。

表面處理：進行沉金、OSP、沉錫等表面處理，以滿足后續(xù)封裝和焊接等工藝的要求。